DSpace
Зареєструватися
українська русский English polski français
Deutsch español italiano svenska
中文 Ελληνικά norsk
日本語 magyar
čeština
   

ELARTU — Інституційний репозитарій ТНТУ імені Івана Пулюя >
Факультет комп’ютерно-інформаційних систем і програмної інженерії (ФІС) >
Кафедра програмної інженерії (ПІ) >
Наукові публікації працівників кафедри програмної інженерії >

Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/17916

Назва: Внесок детекторних двофотонних електронних переходів у формування динамічної провідності трибар’єрних резонансно-тунельних структур
Інші назви: Contribution of Two-photon Detector Electronic Transitions in the Formation of Dynamic Conductivity of Three-barrier Resonant Tunneling Structures Вклад детекторных двухфотонных электронных переходов в формировании динамической проводимости трехбарьерных резонансно-туннельных структур
Вклад детекторных двухфотонных электронных переходов в формировании динамической проводимости трехбарьерных резонансно-туннельных структур
Автори: Бойко, Ігор Володимирович
Петрик, Михайло Романович
Цуприк, Галина Богданівна
Приналежність: Тернопільський національний технічний університет імені Івана Пулюя, вул. Руська, 56, 46001 Тернопіль, Україна
Тернопольский национальный технический университет имени Ивана Пулюя, ул. Русская, 56, 46001 Тернололь, Украина
Ternopil National Technical University, 56, Ruska Str., 46001 Ternopil, Ukraine
Bibliographic description: I.V. Boyko, M.R. Petryk, H.B. Tsupryk, J. Nano- Electron. Phys. 7 No 4, 04078 (2015)
Журнал/збірник: Журнал нано- та електронної фізики
Journal of Nano- and Electronic Physics
Випуск/№ : 4
Том: 7
Дата публікації: 19-вер-2016
Дата подання: 
УДК: 538.935
538.915
538.971
Код класифікації з фізики та астрономії (PACS): 73.21.Ac
73.40.Gk
73.63.Hs
Ключові слова: наносистеми
резонансно-тунельна структура
квантовий каскадний детектор
активна динамічна провідність
резонансні енергії
резонансні ширини
двофотонні електронні переходи
резонансно-туннельная структура
квантовый каскадный детектор
активная динамическая проводимость
резонансные энергии
резонансные ширины
двухфотонные электронные переходы
resonance tunnelling structure
quantum cascade detector
active dynamic conductivity
resonance energies
resonance width
two-photon electronic transitions
Кількість сторінок: 6
Діапазон сторінок: 04078-1..04078-6
Короткий огляд (реферат): У наближенні ефективних мас та прямокутних потенціальних ям і бар’єрів для електрона, з використанням знайдених розв’язків повного рівняння Шредінгера, розвинена теорія активної динамічної провідності трибар’єрної резонансно-тунельної структури у слабкому електромагнітному полі з урахуванням вкладу детекторних одно- та двофотонних електронних переходів з різними частотами. Показано, що величина вкладу двофотонних переходів у формуванні загальної величини активної динамічної провідності в детекторних переходах не менша 35 %. В приближении эффективных масс и прямоугольных потенциальных ям и потенциалов для эле к- трона, с использованием найденных решений полного уравнения Шредингера, развитая теория ак- тивной динамической проводимости трехбарьерной резонансно-туннельной структуры в слабом элек- тромагнитном поле с учетом вклада детекторных одно- и двухфотонных электронных переходов с раз- личными частотами. Показано, что величина вклада двухфотонных переходов в формировании общей величины активной динамической проводимости в детекторных переходах не менее 35 %. In approximations of the effective mass and rectangular potential wells and potentials for the electron, by using solutions of the complete Schrödinger equation, was developed the theory of active dynamic con- ductivity of three barrier resonant tunnel structure in a weak electromagnetic field, taking into account the contribution of detector one- and two-photon electronic transitions with different frequencies. It is shown that the value of the contribution of two-photon transitions in the formation of the total amount of active dynamic conductivity in detector transitions is not less 35 %.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/17916
Власник авторського права: © Бойко І.В., Петрик М.Р., Цуприк Г.Б., 2015
Перелік літератури: 1. С. Bonzon, I.C. Chelmus, K. Ohtani, M. Geiser, M. Beck, J. Faist, Appl. Phys. Lett. 104, 161102 (2009). 2. J.M. Wolf, A. Bismuto, M. Beck, J. Faist, Opt. Express 22, 2111 (2014). 3. A. Buffaz, M. Carras, L. Doyennette, A. Nedelcu, X. Marcadet, V. Berger, Appl. Phys. Lett. 96, 172101 (2010). 4. D. Hofstetter, F.R. Giorgetta, E. Baumann, Q. Yang, C. Manz, K. Kohler, Appl. Phys. Lett. 93, 221106 (2008). 5. M.V. Tkach, Ju.O. Seti, I.V. Boyko, O.M. Voitsekhivska, Condens. Matt. Phys. 16, 33701 (2013). 6. M. Tkach, Ju. Seti, I. Boyko, O. Voitsekhivska, Romanian Report. Phys. 65, 1443 (2013). 7. M.V. Tkach, Ju.O. Seti, V.O. Matijek I.V. Boyko, J. Phys. Studies 16, 4701 (2012). 8. E. Saczuk, J.Z. Kaminski, phys. status solidi b 240, 603 (2003). 9. N.V. Tkach, Yu.A. Seti, JETP Lett. 95, 271 (2012). 10. N.V. Tkach, Ju.A. Seti, Semiconductors 48, 590 (2014). 11. A.B. Pashkovskii, JETP Lett. 89, 30 (2009). 12. A.B. Pashkovskii, Semiconductors 45, 743 (2009). 13. N.V. Tkach, Yu.A. Seti, Low Temp. Phys. 35, 556 (2009). 14. N.V. Tkach, Ju.A. Seti, Semiconductors 45, 376 (2011).
Розташовується у зібраннях:Наукові публікації працівників кафедри програмної інженерії

Файли цього матеріалу:

Файл Опис РозмірФормат
Stattja_(24_12_15_Proof_jnep_2015_V7_04078)_.djvu3,52 MBDjVuПереглянути/Відкрити
Stattja_(24_12_15_Proof_jnep_2015_V7_04078)_.pdf5,69 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Stattja_(24_12_15_Proof_jnep_2015_V7_04078)__COVER.png604,27 kBimage/pngЕскіз
Переглянути/Відкрити
Stattja_(24_12_15_Proof_jnep_2015_V7_04078).pdf487,49 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити

Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.

 

Програмне забезпечення DSpace Авторські права © 2002-2005 Массачусетський технологічний інститут та Х’юлет Пакард 
Зворотний зв’язок
Якщо Ви знайшли помилку, або інформація на сайті неточна — натисніть „Ctrl+Enter“ та виправте неточність. Дякуємо! Система Orphus